產(chǎn)品描述
VI8855B系列芯片是一款低功耗高性能的，大功率315/433MHz 短距離無線通訊發(fā)射機(jī)。VI8855B 具有低功耗，寬工作電壓，大輸出功率等特點。
VI8855B片內(nèi)集成了PLL和功率放大器，其中PLL為發(fā)射機(jī)提供載波信號。功率放大器將PLL輸出的信號進(jìn)行功率放大，采用E類放大器結(jié)構(gòu)，保證低功耗下輸出信號功率大于13dBm。
VI8855B 采用SOT23-6封裝。
特性
工作電壓范圍寬2.2V~3.6V
工作頻率范圍寬300MHz~450MHz
工作電流小18mA@3V 13dBm
輸出功率達(dá)到13dBm
待機(jī)電流小1uA
最大發(fā)射碼率10kbps
支持多種編碼協(xié)議
工作溫度范圍-40℃~+85℃
不需外接晶振驅(qū)動電容
應(yīng)用領(lǐng)域
遙控門禁系統(tǒng)
胎壓監(jiān)測設(shè)備
遙控風(fēng)扇、照明開關(guān)
無線傳感數(shù)據(jù)傳輸
紅外接收器替換
玩具遙控
1、腳位定義及說明
1.1腳位示意圖
圖1 VI8855B管腳示意圖
1.2腳位說明
表1 VI8855B管腳描述
管腳號 | 管腳名稱 | 管腳類型 | 功能說明 |
1 | GND | P | 接地 |
2 | GND | P | 接地 |
3 | POUT | O | 射頻功率輸出 |
4 | DIN | I | 數(shù)據(jù)輸入 |
5 | VDD | P | 電源輸入 |
6 | XI | I/O | 晶體驅(qū)動管腳 |
2、絕對最大額定值
表2 絕對最大額定值
參數(shù) | 符合 | 條件 | 最小 | 最大 | 單位 |
電源電壓 | VDD |
| -0.3 | 3.6 | V |
接口電壓 | VIN |
| -0.3 | VDD + 0.3 | V |
結(jié)溫 | TJ |
| -40 | 125 | ℃ |
儲藏溫度 | TSTG |
| -50 | 150 | ℃ |
焊接溫度 | TSDR | 持續(xù)時間不超過30 秒 |
| 255 | ℃ |
ESD 等級 |
| 人體模型(HBM) | -3 | 3 | kV |
栓鎖電流 |
| @ 85 ℃ | -100 | 100 | mA |
3、工作條件
表3 推薦工作條件
參數(shù) | 最小值 | 最大值 | 單位 |
電源電壓 | 2.2 | 3.6 | V |
工作溫度 | -40 | 85 | ℃ |
4、電特性參數(shù)
表4 發(fā)射器規(guī)格
參數(shù) | 符號 | 條 件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
電源電流 | ICC1 | fINASK=9.84375MHz |
|
| 18 | mA |
ICC2 | fINASK=13.56MHz |
|
| 20 | mA |
待機(jī)電流 | ICC_STD |
|
|
| 1 | uA |
輸出功率 | POUT1 | fINASK=9.84375MHz |
|
| 13 | dBm |
POUT2 | fINASK=13.56MHz |
|
| 13 | dBm |
諧波抑制 | THD1 | fINASK=9.84375MHz |
|
| 35 | dBc |
THD2 | fINASK=13.56MHz |
|
| 35 | dBc |
碼率 | DRATE | OOK/ASK 模式 |
|
| 10K | bps |
5、功能描述
VI8855B短距離無線通訊發(fā)射SOC應(yīng)用于315MHz～433MHz低功耗、低成本短距離發(fā)射器，支持ASK調(diào)制方式，由微處理器、頻率合成器（PLL）和功率放大器等電路組成。該芯片具有高集成度、低功耗、高功率等性能，發(fā)射功率大于13dBm。
5.1框架圖
圖2 VI8855B 內(nèi)部電路框架圖
5.2頻率合成器（PLL）
PLL為發(fā)射機(jī)提供載波信號，VI8855B 中的PLL的工作頻點較低（433M 和315M），由于對功耗要求很高，采用的是環(huán)形振蕩器提供的本振信號，環(huán)路中采用的固定32分頻比分頻器，并內(nèi)置環(huán)路濾波器，整體的功耗控制在1mA以下。
5.3晶體振蕩器
外部參考振蕩器決定著發(fā)射頻率，而且發(fā)射頻率是參考頻率的32倍，即：
fTx=32fREFOSC
因此必須選擇適當(dāng)頻率的晶振。晶振的等效串聯(lián)電阻不大于20Ω，若使用信號發(fā)生器，其輸入輻值建議在800mVpp～1500mVpp范圍之間進(jìn)行選擇。
5.4功率放大器
VI8855B內(nèi)部包含一個功率放大器，兩個可編程帶通濾波器，功率放大器將輸入信號進(jìn)行功率放大，采用E類放大器結(jié)構(gòu)，漏極開路輸出，外接扼流電感結(jié)構(gòu)。應(yīng)用時采用π型窄帶匹配網(wǎng)絡(luò)，提高諧波抑制，保證輸出信號功率達(dá)到13dBm。
6、典型應(yīng)用電路圖
6.1 典型應(yīng)用電路
圖3 VI8855B典型應(yīng)用電路
6.2 典型電路BOM
表5 典型電路參考BOM
參考編號 | 說明 | 315MHz | 433MHz |
X1 | 晶體，±20 ppm | 9.84375MHz | 13.56MHZ |
R1 | 電源濾波電阻，±5% | 0R | 0R |
R2 | 電源濾波電阻，±5% | 0R | 0R |
L1 | 匹配網(wǎng)絡(luò)電感，±10%, 疊層電感 | 180nH | 180nH |
L2 | 匹配網(wǎng)絡(luò)電感，±10%, 疊層電感 | 39nH | 22nH |
L3 | 短路電阻，±5% | 0R | 0R |
C1 | 匹配網(wǎng)絡(luò)電容，±0.25 pF, NP0, 50 V | 8pF | 7pF |
C2 | 匹配網(wǎng)絡(luò)電容，±0.25 pF, NP0, 50 V | 15pF | 12pF |
C3 | 電源濾波電容，±20%, X7R, 25 V | 1uF | 1uF |
C4 | 電源濾波電容，±20%, X7R, 25 V | 1uF | 1uF |
C5 | 匹配網(wǎng)絡(luò)電容，±0.25 pF, NP0, 50 V | 220pF | 220pF |
注意：實際參數(shù)根據(jù)PCB設(shè)計和天線不同會有偏差，需要根據(jù)實際情況調(diào)整。
7、封裝信息
芯片采用標(biāo)準(zhǔn)SOT23-6封裝。
圖4 VI8855B封裝示意圖
